삼성전자 반도체 미세화 공정 로드맵 제시, 반도체 미세화 관련주 삼성전자는 22일(현지시간) 미국 산타클라라 메리어트 호텔에서 '삼성 파운드리 포럼 2018(Samsung Foundry Forum 2018)'을 열고 차세대 트랜지스터 구조를 활용한 3나노 공정 로드맵을 통해 로직 공정의 터닝포인트를 마련할 것이라고 발표했다. 삼성전자는 3나노 공정에서 '3GAAE/GAAP(3나노 Gate-All-Around Early/Plus)' 생산을 목표로 잡았다. 차세대 트랜지스터 구조인 MBCFETTM을 최초로 적용해 게이트(GATE) 컨트롤 개선으로 성능을 대폭 향상한다는 목표다. MBCFETTM(Multi Bridge Channel FET)은 핀펫(FinFET) 구조의 크기 축소와 성능 향상의 한계를 극복한 GAAFET(Gate All Around FET) 기술의 삼성전자.. 더보기 이전 1 다음