일본 섬코, 지진으로 실리콘 웨이퍼 수급 비상, 국내 웨이퍼 수혜 지난 6일 일본 홋카이도에서 발생한 규모 6.7의 지진으로 반도체 칩(Chip)을 만드는 기초 재료인 실리콘 웨이퍼 수급에 비상이 걸렸다. 이 지역은 세계 2위 섬코의 치토세 공장이 운영되고 있다. 반도체 호황과 업계가 웨이퍼 증산에 미온적인 움직임을 보여왔다는 점에서 수급 불균형 악화는 피하기 어려울 전망이다. 11일 섬코는 입장 자료를 통해 홋카이도에서 발생한 강진으로 치토세 공장의 가동이 중단됐다고 밝혔다. 지진으로 인한 인명피해는 없지만, 공장 전체의 전기가 완전히 복구되지 못했고 정상적으로 가동되는 시기도 언급하지 않았다. 그저 설비 등을 점검했으나 운영은 하지 못하고 있다라면서 안전을 확보하면서 조기 재가동을 위해 노력할 것이라고 설명했다. 섬코는 신에쓰화학과 함께 웨이퍼 공급량의 절반 이상(.. 더보기 삼성 180조, 4대 미래사업 새로운 먹거리 투자 수혜주 삼성이 반도체, 인공지능(AI), 디스플레이 등 핵심 사업에 3년간 180조원을 투자한다. 또 애초 계획보다 두 배가량 많은 4만 명을 2020년까지 직접 채용하기로 했다. 지난해 사상 최대였던 삼성전자 영업이익(53조6500억원)을 훌쩍 넘는 수준이기도 하다. 향후 3년간은 번 돈을 대부분 투자에 쓰겠다는 것이다. 이 같은 과감한 투자 계획은 삼성에 대한 사회적 요구에 부응하는 차원과 함께 4차 산업혁명 시대에도 글로벌 리딩 기업의 지위를 지켜야 한다는 내부의 위기의식이 반영된 결과다. 현재 주력 사업인 반도체, 디스플레이, 스마트폰 분야에 대한 투자 확대로 후발 주자와 격차를 더 벌리고 인공지능(AI), 5세대 이동통신(5G), 바이오, 차량용 전자장비(전장 부품) 분야에도 선제적인 투자를 단행해 미.. 더보기 삼성전자 반도체 미세화 공정 로드맵 제시, 반도체 미세화 관련주 삼성전자는 22일(현지시간) 미국 산타클라라 메리어트 호텔에서 '삼성 파운드리 포럼 2018(Samsung Foundry Forum 2018)'을 열고 차세대 트랜지스터 구조를 활용한 3나노 공정 로드맵을 통해 로직 공정의 터닝포인트를 마련할 것이라고 발표했다. 삼성전자는 3나노 공정에서 '3GAAE/GAAP(3나노 Gate-All-Around Early/Plus)' 생산을 목표로 잡았다. 차세대 트랜지스터 구조인 MBCFETTM을 최초로 적용해 게이트(GATE) 컨트롤 개선으로 성능을 대폭 향상한다는 목표다. MBCFETTM(Multi Bridge Channel FET)은 핀펫(FinFET) 구조의 크기 축소와 성능 향상의 한계를 극복한 GAAFET(Gate All Around FET) 기술의 삼성전자.. 더보기 이전 1 다음
